Yahoo Hỏi & Đáp sẽ ngừng hoạt động vào ngày 4 tháng 5 năm 2021 (Giờ Miền Đông nước Mỹ) và từ nay, trang web Yahoo Hỏi & Đáp sẽ chỉ ở chế độ đọc. Các thuộc tính hoặc dịch vụ khác của Yahoo hay tài khoản Yahoo của bạn sẽ không có gì thay đổi. Bạn có thể tìm thêm thông tin về việc Yahoo Hỏi & Đáp ngừng hoạt động cũng như cách tải về dữ liệu của bạn trên trang trợ giúp này.
transistor amplifier design question (determining hie)..?
the formula given forr determining hie (or Rpi) is (B VT) / IE , where VT = 0.026
according to the transistor 2N2222 datasheet , the minimum value for hie is 2K and the max value is 8K . Now suppose you have a very small value of IE (say about 10 micro ampere) , then according to the formula hie would be (assming B = 50) :
hie = 50 (0.026) / (10 x 10^-6) = 130 K ohm which is much greater than hie max (8K) , so how do
we estimate the value of hie ? is that formula used for certain cases only ?
here is the link , plz refer to page 5 (tables 5 and 6)
http://www.aoc.nrao.edu/~pharden/hobby/HG_DS1.pdf
thanks
can hie be as large as 130 K ? doesn't it have an upper limit ?
3 Câu trả lời
- billrussell42Lv 79 năm trướcCâu trả lời yêu thích
2N2222 datasheet does NOT specify hie. The data in your link is what someone measured for a typical part, but is not part of the specification.
But anyway, hie varies with current. The 2k-8k number you have is typical at an unknown current, so that is pretty useless. The 130k you calculated is as good as any.
edit:
if all you want is the input impedance of a CE amplifier, use:
input Resistance Rb = 25(Hfe) / Ie (Ie in ma)
This is paralleled by the bias resistors
For your example at 10µA, Rb = 25•50/0.01 = 125k ohms
But I'm unsure that HFE at 10µA is about 50, although that is possible. But it is an unspecified area of the transistor.